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| メーカーの部品 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
|---|---|
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| 家族 | トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ |
| ライフサイクル： | New from this manufacturer. |
| 配達： | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| 支払い | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| データシート | FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF |
| 在庫あり | 45 |
|---|---|
| 単価 | $ 248.29000 |
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ: | CoolSiC™+ |
| パッケージ: | Tray |
| 部品ステータス: | Active |
| fetタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| fet機能: | Silicon Carbide (SiC) |
| ソース電圧（vdss）へのドレイン: | 1200V |
| 電流-連続ドレイン（id）@25°c: | 150A (Tj) |
| rds on（max）@ id、vgs: | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| vgs（th）（max）@ id: | 5.55V @ 60mA |
| ゲート電荷（qg）（max）@ vgs: | 372nC @ 15V |
| 入力容量（ciss）（max）@ vds: | 11000pF @ 800V |
| パワー-最大: | 20mW (Tc) |
| 作動温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース: | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ: | AG-EASY2BM-2 |
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