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| メーカーの部品 | TPD3215M |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| カテゴリー | ディスクリート半導体製品 |
| 家族 | トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ |
| ライフサイクル： | New from this manufacturer. |
| 配達： | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| 支払い | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| データシート | TPD3215M PDF |
| 在庫あり | 22 |
|---|---|
| 単価 | $ 175.13000 |
TPD3215M Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]
| タイプ | 説明 |
|---|---|
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品ステータス: | Obsolete |
| fetタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fet機能: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ソース電圧（vdss）へのドレイン: | 600V |
| 電流-連続ドレイン（id）@25°c: | 70A (Tc) |
| rds on（max）@ id、vgs: | 34mOhm @ 30A, 8V |
| vgs（th）（max）@ id: | - |
| ゲート電荷（qg）（max）@ vgs: | 28nC @ 8V |
| 入力容量（ciss）（max）@ vds: | 2260pF @ 100V |
| パワー-最大: | 470W |
| 作動温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ/ケース: | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ: | Module |
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